高真空磁控溅射仪 型号:KM1-SD-650MH

高真空磁控溅射仪  型号:KM1-SD-650MH  

原理：
溅射镀膜的原理是稀薄气体在
异常辉光放电产生的等离子体在电
场的作用下，对阴极靶材表面进行轰
击，把靶材表面的分子、原子、离子
及电子等溅射出来，被溅射出来的粒
子带有一定的动能，沿一定的方向射
向基体表面，在基体表面形成镀层。
溅射时产生的快电子在正交的电磁
场中作近似摆线运动，增加了电子行
程，提高了气体的离化率，同时高能
量粒子与气体碰撞后失去能量，基体
温度较低，在不耐温材料上可以完成
镀膜。
用途：
KM1-SD-650MH 高真空磁控溅射镀膜仪是袖珍型磁控溅射
设备,主要由溅射真空室、磁控溅射靶、样品台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测
量及电控系统等部分组成。高真空溅射可用于金属、半导体、绝缘体等多种薄膜材料的
制备，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，可用于大专、科研
院所的薄膜材料研究、制备。

高真空磁控溅射仪  型号:KM1-SD-650MH  

参数：
仪器主机尺寸: 长 610mm×宽 420mm×高 220mm（注：含腔体总高 490mm）
工作腔室尺寸： 标配：玻璃腔体（高度可选）：直径 260mm×高 200mm（外尺寸）
直径 240mm×高 200mm（内尺寸）
选配：金属腔体：直径 260mm×高 270mm（外尺寸 ）
直径 210mm×高 270mm（内尺寸）
靶头： 标配：单靶
选配：双靶（双靶仪器主机尺寸和工作腔体尺寸会随之增大）
靶材尺寸： 直径 50mm×厚 3mm（因靶材材质不同厚度有所不同）
靶材料： 标配一块直径 50mm×3mm 的铜靶（可选配多种靶材）
靶枪冷却方式： 水冷
真空系统： 抗冲击涡轮分子泵，抽速为 300L/s
前级机械泵： 抽速为 4L/s，带防返油电磁阀及油污过滤器
真空测量： 采用复合真空计监测真空
真空度: 5×10
-5Pa（10 分钟可到 9×10
-4Pa）
电源： 标配：直流恒流电源：输入电压：220V
输出电压：0-600v
输出电流：0-1.6A
选配：射频功率电源：功率 1000W，配射频匹配器。
载样台： 直径 200mm，可根据客户需求定制载样台。
工作气体： Ar 等惰性气体（需自备气瓶及减压阀）
气路： 溅射真空度手动调整（可选配气体质量流量计）
水冷： 自循环冷却水机
电源电压： 220V 50Hz
启动功率 3KW