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真空镀碳仪/中西器材 型号:JE3-TZ-1000C

真空镀碳仪/中西器材 型号:JE3-TZ-1000C

简要描述:
真空镀碳仪/中西器材 型号:JE3-TZ-1000C

注明:桌面型蒸镀碳层,减少因样品镀层对X射线能量谱仪做元素分析时的能量损失,可以选择蒸发碳绳和蒸发碳棒两种方式。
技术规格说明
样品仓尺寸:φ150mmX110mm
蒸发面积:约Φ140mm

产品时间:2023-09-13

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真空镀碳仪/中西器材 型号:JE3-TZ-1000C

注明:桌面型蒸镀碳层,减少因样品镀层对X射线能量谱仪做元素分析时的能量损失,可以选择蒸发碳绳和蒸发碳棒两种方式。
技术规格说明
样品仓尺寸:φ150mmX110mm
蒸发面积:约Φ140mm
高真空度:≤4×10-2mbar
工作电压:220V,50HZ
蒸发输出:电压30V
蒸发靶材:碳棒、碳绳
蒸发大电流:约100A
真空镀碳仪/中西器材 型号:JE3-TZ-1000C

理想膜层的特点
1.良好的导热和导电性能。
2.不管样品的表面形貌如何,覆盖在所有部位的膜层需要薄厚均匀。
3.膜层对样品的化学成分干扰很小,对从样品中发射的X射线强度影响很弱。
4.这层膜主要增加样品表面的导电性能和导热性能,相较于导电金属膜层的厚度普遍在10nm以上;可提供碳的镀层,在3-4nm分辨率尺度内不显示其几何形貌特点,避免引入不必要的人为图像,镀层精细均匀,适合非常粗糙的样品,高分辨研究。
5.可以喷碳(碳棒或碳绳),有利于对样品中非碳元素的能谱分析。
6.非导电样品观察背散射电子图像,进行EBSD分析,也应该喷碳处理。
主要用于扫描电镜 EDS 样品镀导电膜 ,仪器操作简单方便,是配合SEM 制样的仪器。

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