高频光电导少数载流子寿命测试仪S810-LT-1B
高频光电导少数载流子寿命测试仪是参照半导体设备和材料组织SEMI标准（F28-75）及标准GB/T1553-1997设计制造。本设备采用高频光电导衰减测量方法，适用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，硅单晶寿命测量ρ≥3Ω·cm，由于对样块体形无严格要求，因此广泛应用于工厂的常规测量。寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。
高频光电导少数载流子寿命测试仪S810-LT-1B
技术参数
（1）电阻率测量范围ρ≥3Ω·cm，寿命测试范围：5~10000μs
（2）光脉冲发生装置
重复频率＞25次/s 脉宽≥60μs 光脉冲关断时间＜1μs
红外光源波长：1.06μm（测量硅单晶），如测量锗单晶寿命需另行配置适当波长的光源。
脉冲电源：5A～12A
（3）高频源
频率：30MHz 低输出阻抗 输出功率＞1W
（4） 放大器和检波器
频率响应：2Hz～3MHz
寿命测试范围：5~10000μs
按测量标准对仪器设备的要求，本仪器设备配有：
（5）读数方式：可选配载流子寿命测试软件系统或数字示波器读数，软件系统测试操作简单，点击“测量”即可，自动保存数据及相应测试点衰减波形到数据库，可进行查询历史数据和导出历史数据等操作。
